看看肖特基二极管特点-壹芯微二极管

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肖特基二极管是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件，其反向恢复时间可小到几个纳秒，正向导通压降仅04左右，而整流电流却可以达到几千安。唯有通力合作，我们才能将电子元件选择的价值发挥出来，供应市场的发展需要。壹芯微科技组建了优秀的生产管理团队,通过并严格执行ISO9002质量管理体系,公司从美国台湾等地引进大量先进的封装、测试全自动化设备,为壹芯微的品质奠定了坚实的基础。https://www.szyxwkj.com/Article/gbj3506qdc_1.html

肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为BA。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从AB的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

肖特基势垒二极管（SBD）具有开关频率高和正向压降低等点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V,比较高仅约100V,以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~12V的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用速恢复外延二极管（FRED）和超速恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间T也在20以上，根本不能满足像空间站等领域用1MH~3MH的SMPS需要。即使是硬开关为100H的SMPS,由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD,一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1V的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。
肖特基二极管的主要特点：正向压降低、反向恢复时间、工作频率高、反向耐压低。